BMW i Ventures invierte en GaN Systems. BMW i Ventures ha anunciado una inversión estratégica en GaN Systems, una compañía de transistores de potencia fabless a la vanguardia de la tecnología de semiconductores. El nitruro de galio (GaN) es un material semiconductor de espacio de banda ancha que permite una mayor eficiencia energética, factores de forma más pequeños y un mayor rendimiento. GaN Systems se centra en los transistores de potencia basados en GaN que pueden ser utilizados en dispositivos de consumo, centros de datos, industriales y automotrices. Los transistores GaN permiten la próxima generación de vehículos eléctricos con mayor densidad de potencia, capacidades de carga más rápidas y rangos más largos.
"Los transistores de potencia de GaN Systems han creado nuevas posibilidades para que los ingenieros construyan la electrónica de potencia demandada por los sistemas actuales. Los transistores basados en nitruro de galio se han convertido, en mi opinión, en el siguiente paso grande en la miniaturización. Hemos visto sistemas de ¼ de la talla proporcionando una mejor eficiencia que las alternativas tradicionales basadas en silicio. Con GaN, cualquier sistema que necesite energía puede ser más pequeño, más ligero y más eficiente. Estas capacidades son particularmente relevantes en el sector del automóvil ", declaró Uwe Higgen, director general de BMW i Ventures.
El CEO de GaN Systems, Jim Witham, comentó sobre la inversión histórica: "Desde cargadores de computadoras / teléfonos y servidores de centros de datos hasta motores de fábrica y coches eléctricos, nuestros clientes han validado la propuesta de valor GaN de electrónica de potencia pequeña, eficiente y de bajo costo. Estos beneficios son ampliamente reconocidos por las compañías más grandes del mundo en todas las industrias ".
"Hay muchos ejemplos de cómo GaN beneficia a los sistemas de energía", continuó Higgen. "Con coches autónomos, habrá la necesidad de escalar masivamente la infraestructura del centro de datos. El consumo de energía en los centros de datos es uno de los mayores factores de costo, y aumentar la eficiencia de la conversión de energía representará miles de millones de dólares en ahorros de costos y permitirá una infraestructura más sostenible en todo el mundo ".
"Los transistores de potencia de GaN Systems han creado nuevas posibilidades para que los ingenieros construyan la electrónica de potencia demandada por los sistemas actuales. Los transistores basados en nitruro de galio se han convertido, en mi opinión, en el siguiente paso grande en la miniaturización. Hemos visto sistemas de ¼ de la talla proporcionando una mejor eficiencia que las alternativas tradicionales basadas en silicio. Con GaN, cualquier sistema que necesite energía puede ser más pequeño, más ligero y más eficiente. Estas capacidades son particularmente relevantes en el sector del automóvil ", declaró Uwe Higgen, director general de BMW i Ventures.
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| BMW i Ventures invierte en GaN Systems |
El CEO de GaN Systems, Jim Witham, comentó sobre la inversión histórica: "Desde cargadores de computadoras / teléfonos y servidores de centros de datos hasta motores de fábrica y coches eléctricos, nuestros clientes han validado la propuesta de valor GaN de electrónica de potencia pequeña, eficiente y de bajo costo. Estos beneficios son ampliamente reconocidos por las compañías más grandes del mundo en todas las industrias ".
"Hay muchos ejemplos de cómo GaN beneficia a los sistemas de energía", continuó Higgen. "Con coches autónomos, habrá la necesidad de escalar masivamente la infraestructura del centro de datos. El consumo de energía en los centros de datos es uno de los mayores factores de costo, y aumentar la eficiencia de la conversión de energía representará miles de millones de dólares en ahorros de costos y permitirá una infraestructura más sostenible en todo el mundo ".
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